CMOS(cornplementary MOS)由成對(duì)的互補(bǔ)p溝道與n溝道MOSFET所組成．CMoS邏輯成為目前集成電路設(shè)計(jì)最常用技術(shù)的緣由，在于其有低功率損耗以及較佳的噪聲抑止才干．事實(shí)上，由于低功率損耗的需求，目前僅有CMOS技術(shù)被運(yùn)用于ULSI的制造．
6.4.1CMOS反相器
如圖6. 28所示，CMOS反相器為CMOS邏輯電路的基本單元．在CMOS反相器中，p與n溝道晶體管的柵極銜接在一同，并作為此反相器的輸入端，而此二晶體管的漏極也連接在一同，并作為反相器的輸出端.n溝道MOSFET的源極與襯底接點(diǎn)均接地，而p溝道MOSFET的源極與襯底則銜接至電源供應(yīng)端(VDD)，需留意的是p溝道與n溝道MOSFET均為增強(qiáng)型晶體管，當(dāng)輸入電壓為低電壓時(shí)（即vin=O，VGsn=o｜VTp｜（VGSp與VTp為負(fù)值），所以p溝道MOSFET．為導(dǎo)通態(tài)，
因此，輸出端經(jīng)過(guò)p溝道MOSFET充電至VDD，當(dāng)輸入電壓逐漸升高，使柵極電壓等于VDD時(shí)，由于VGSn＝VDD>VTn，所以n溝道MOSFET將被導(dǎo)通，而由于｜VGSp ｜≈O<｜VTp｜，所以p溝道MOSFET將被關(guān)閉．因此輸出端將經(jīng)n溝道MOSFET放電至零電勢(shì)，
欲更深化天文解CMOS反相器的工作，可先畫(huà)出晶體管的輸出特性，如圖6.29所示，其中顯現(xiàn)Ip以及In為輸出電壓（Vout）函數(shù)．Ip為p溝道MOSFET由源極（銜接至VDD）流向漏極（輸出端）的電流；In為n溝道MOSFET由漏極（輸出端）流向源極（銜接至接地端）
的電流．需留意的是在固定Vout下，增加輸入電壓(vin)將會(huì)增加In而減少Ip，但是在穩(wěn)態(tài)時(shí)，In應(yīng)與Ip相同，關(guān)于給定一個(gè)Vin可由In(Vin)與Ip(Vin)的截距，計(jì)算出相對(duì)應(yīng)的Vout如圖6. 29所示．如圖6.30所示的Vin-Vout曲線稱為CMOS反相器的傳輸曲線．
CMOS反相器的一個(gè)重要的特性是，當(dāng)輸出處于邏輯穩(wěn)態(tài)（即Vout=或VDD）時(shí)，僅有一個(gè)晶體管導(dǎo)通，因此由電源供應(yīng)處流到地端的電流非常小，且相當(dāng)于器件關(guān)閉時(shí)的漏電流．事實(shí)上，只需在兩個(gè)器件暫時(shí)導(dǎo)通時(shí)的極短暫態(tài)時(shí)間內(nèi)才會(huì)有大電流流過(guò)，因此與其他種類如n溝道MOSFET、雙極型等邏輯電路相比，其穩(wěn)態(tài)時(shí)的功率損耗甚低.
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