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      • 場效應管分類,結(jié)構(gòu)與原理介紹
        • 發(fā)布時間:2021-03-17 16:49:21
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        場效應管分類,結(jié)構(gòu)與原理介紹
        場效應晶體管簡稱場效應管,是較新型的半導體材料,利用電場效應來控制晶體管的電流,因而得名。它只有一種載流子參與導電的半導體器件,是一種用輸入電壓控制輸出電流的半導體器件。從參與導電的載流子來劃分,它有電子作為載流子的N溝道器件和空穴作為載流子的P溝道器件。從場效應管的結(jié)構(gòu)來劃分,它有結(jié)型場效應管和絕緣柵型場效應管之分。
        1.結(jié)型場效應管
        (1) 結(jié)型場效應管結(jié)構(gòu)
        N溝道結(jié)型場效應管的結(jié)構(gòu)如下圖所示,它是在N型半導體硅片的兩側(cè)各制造一個PN結(jié),形成兩個PN結(jié)夾著一個N型溝道的結(jié)構(gòu)。兩個P區(qū)即為柵極,N型硅的一端是漏極,另一端是源極。
        場效應管
        結(jié)型場效應管的結(jié)構(gòu)示意圖
        (2) 結(jié)型場效應管工作原理
        以N溝道為例說明其工作原理。
        當VGS=0時,在漏、源之間加有一定電壓時,在漏源間將形成多子的漂移運動,產(chǎn)生漏極電流。當VGS<>時,PN結(jié)反偏,形成耗盡層,漏源間的溝道將變窄,ID將減小,VGS繼續(xù)減小,溝道繼續(xù)變窄,ID繼續(xù)減小直至為0。當漏極電流為零時所對應的柵源電壓VGS稱為夾斷電壓VGS (off)。
        (3)結(jié)型場效應管特性曲線
        結(jié)型場效應管的特性曲線有兩條,
        一是輸出特性曲線(ID=f(VDS)| VGS=常量),
        二是轉(zhuǎn)移特性曲線(ID=f(VGS)|VDS =常量)。
        N溝道結(jié)型場效應管的特性曲線如下圖所示。
        場效應管
        (a) 漏極輸出特性曲線 (b) 轉(zhuǎn)移特性曲線
        N溝道結(jié)型場效應管的特性曲線
        2. 絕緣柵場效應三極管的工作原理
        絕緣柵場效應三極管分為:
        耗盡型→N溝道、P溝道
        增強型→N溝道、P溝道
        (1)N溝道耗盡型絕緣柵場效應管結(jié)構(gòu)
        N溝道耗盡型的結(jié)構(gòu)和符號如下圖(a)所示,它是在柵極下方的SiO2絕緣層中摻入了大量的金屬正離子。所以當VGS=0時,這些正離子已經(jīng)感應出反型層,形成了溝道。于是,只要有漏源電壓,就有漏極電流存在。當VGS>0時,將使ID進一步增加。VGS<>時,隨著VGS的減小漏極電流逐漸減小,直至ID=0。對應ID=0的VGS稱為夾斷電壓,用符號VGS (off)表示,有時也用VP表示。
        N溝道耗盡型的轉(zhuǎn)移特性曲線如下圖(b)所示。
        場效應管
        (a) 結(jié)構(gòu)示意圖 (b) 轉(zhuǎn)移特性曲線
        (2)N溝道增強型絕緣柵場效應管結(jié)構(gòu)
        N溝道增強型絕緣柵場效應管,結(jié)構(gòu)與耗盡型類似。但當VGS=0 V時,在D、S之間加上電壓不會在D、S間形成電流。當柵極加有電壓時,若VGS>VGS (th)時,形成溝道,將漏極和源極溝通。如果此時加有漏源電壓,就可以形成漏極電流ID。在VGS=0V時ID=0,只有當VGS>VGS (th)后才會出現(xiàn)漏極電流,這種MOS管稱為增強型MOS管。
        場效應管
        VGS(th)——開啟電壓或閥電壓;
        (3)P溝道增強型和耗盡型MOSFET
        P溝道MOSFET的工作原理與N溝道MOSFET完全相同,只不過導電的載流子不同,供電電壓極性不同而已。這如同雙極型三極管有NPN型和PNP型一樣。
        3 場效應管伏安特性曲線
        場效應管的特性曲線類型比較多,根據(jù)導電溝道的不同以及是增強型還是耗盡型可有四種轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線,其電壓和電流方向也有所不同。如果按統(tǒng)一規(guī)定的正方向,特性曲線就要畫在不同的象限。為了便于繪制,將P溝道管子的正方向反過來設定。有關曲線繪于下圖之中
        場效應管
        4.各種場效應管特性比較
        場效應管
        (a) 轉(zhuǎn)移特性曲線 (b) 輸出特性曲線
        5.場效應管的主要參數(shù)
        ① 開啟電壓VGS(th) (或VT)
        開啟電壓是MOS增強型管的參數(shù),柵源電壓小于開啟電壓的絕對值,場效應管不能導通。
        ② 夾斷電壓VGS(off) (或VP)
        夾斷電壓是耗盡型FET的參數(shù),當VGS=VGS(off) 時,漏極電流為零。
        ③ 飽和漏極電流IDSS
        耗盡型場效應三極管,當VGS=0時所對應的漏極電流。
        ④ 輸入電阻RGS
        場效應三極管的柵源輸入電阻的典型值,對于結(jié)型場效應三極管,反偏時RGS約大于107Ω,對于絕緣柵場型效應三極管,RGS約是109~1015Ω。
        ⑤ 低頻跨導gm
        低頻跨導反映了柵壓對漏極電流的控制作用,這一點與電子管的控制作用十分相像。gm可以在轉(zhuǎn)移特性曲線上求取,單位是mS(毫西門子)。
        ⑥ 最大漏極功耗PDM
        最大漏極功耗可由PDM=VDS ID決定,與雙極型三極管的PCM相當。
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