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      • CMOS運(yùn)放設(shè)計,關(guān)于電流鏡解析
        • 發(fā)布時間:2022-11-24 18:29:21
        • 來源:
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        CMOS運(yùn)放設(shè)計,關(guān)于電流鏡解析
        工作點(diǎn)
        小信號是大信號工作在固定偏置點(diǎn)下電路體現(xiàn),那么為了得到我們需要的小信號性能,例如運(yùn)放的增益,BW,GBW,PM,那么一個重要的前提就是電路要工作在小信號需要的偏置點(diǎn)上。
        偏置點(diǎn)可以選擇的自由度是很多的,例如對一個MOS管,Vgs,Vds,Vbs等等都是可以設(shè)置的,但是對于模擬CMOS電路,大部分電路偏執(zhí)點(diǎn)有一個前提:
        MOS管工作在飽和區(qū)
        注:現(xiàn)在很多電路的MOS管也工作在亞閾值區(qū),但這種情況和飽和區(qū)比較相似,因此本文暫時忽略工作在亞閾值的情況。
        運(yùn)放與電流鏡的關(guān)系
        如何讓運(yùn)放的MOS管工作在飽和區(qū)
        運(yùn)放 電流鏡
        單級共源放大器
        讓我們以上圖為例,研究如何讓這個共源放大器的MOS管都工作在飽和區(qū)。 這是一個電流源負(fù)載的共源放大器,其中M2作為電流源使用,其電流是通過Vb提供的。在這個放大器中,需要的偏置電壓包括:
        Vb偏置M2
        Vin雖然是輸入電壓,但是其電壓值在一個固定電壓值附近波動,這個固定電壓值就是M1的偏置電壓
        對于如何讓他們工作在飽和區(qū),我們通過大信號的思路去分析:
        Vb偏置M2,產(chǎn)生一個電流I2;
        Vin偏置M1,產(chǎn)生一個電流I1;
        直觀地,或者說根據(jù)KCL,I1=I2;
        假設(shè)M1和M2均工作在飽和區(qū),根據(jù)Vb和Vin的值以及平方律模型,它們產(chǎn)生電流I1,I2;
        如果I1剛好等于I2,那么他們工作在飽和區(qū)的假設(shè)成立;
        如果I1>I2,由于它們的電流需要相等,因此Vout會適當(dāng)減小,通過降低M1的Vds1,增大M2的|Vds2|,調(diào)節(jié)他們的電流相等;
        如果這個調(diào)節(jié)過程中,vds1仍然滿足Vds1>Vod1,那么M1仍然工作在飽和區(qū);如果不滿足,那么M1就工作在線性區(qū);
        I1<I2的情況也可根據(jù)上述進(jìn)行分析;
        在上述過程中,造成M1或M2被擠壓到線性區(qū)的本質(zhì)是,M1和M2假設(shè)他們工作在飽和區(qū)產(chǎn)生的電流I1和I2不相等,且相差較大。因此,為了避免該情況的發(fā)生,就需要合理地設(shè)置Vb和Vin。
        運(yùn)放 電流鏡
        差分輸入,差分輸出放大器
        針對上圖的差分輸入,差分輸出,我們可以做類似的分析。首先,在工作點(diǎn)時,差分輸入為0,兩個輸入被偏置在輸入共模電壓上,這個時候差分運(yùn)放的左右工作在對稱,也就是相同的狀態(tài),以左邊為例:
        上半部分的電流是由Vb3偏置M7確定的,工作電流為I1;
        下半部分的電流因?yàn)檩斎氩罘蛛妷簽?,左右各分ISS/2的電流;
        假設(shè)I1和ISS/2是所有晶體管工作在飽和區(qū)的電流值,如果I1>ISS/2,那么X點(diǎn)電壓Vx會升高,通過調(diào)小M5和M7的|Vds|來減小I1,同時M1,M3,M9的Vds會增大,從而增大ISS/2,以此來讓I1和ISS/2相等;
        如果Vx升高太多,那么就會把M5或者M(jìn)7擠入線性區(qū);
        I1<ISS/2的情況也可以作此分析
        因此,為了讓所有晶體管工作在飽和區(qū),那么就要讓Vb3和Vb4合理地選擇以滿足ISS/2=I1。
        如何用電流鏡偏置運(yùn)放
        從上文可知,讓運(yùn)放工作在飽和區(qū)地關(guān)鍵是運(yùn)放地上半部分(PMOS部分)和下半部分(NMOS部分)按照飽和區(qū)的工作狀態(tài)產(chǎn)生的電流相等。那最好的方式就是讓他們從一個電流源拷貝過來,如下圖所示。
        運(yùn)放 電流鏡
        電流鏡偏置運(yùn)放
        在上圖中,如果IREF1和IREF2是一個電流源而來,通過Mb2和M7,Mb1和M9合適的比例設(shè)置,就可以滿足上文的要求。 為了更好地匹配,實(shí)際電路中,Mb2和M7,Mb1和M9通常采用相同的W/L,通過改變并聯(lián)個數(shù)來實(shí)現(xiàn),這樣可以保證在不同PVT下拷貝都很精準(zhǔn)。
        共模反饋的作用
        然而,即使我們再精心地在前仿真時候設(shè)計,實(shí)際到后仿真,tape-out,因?yàn)槠骷洌衔拿枋龅碾娏飨嗟纫矌缀醪豢赡艹霈F(xiàn),而且這樣去匹配本身就違背了魯棒性的原則。這就體現(xiàn)了共模反饋電流的重要性。
        運(yùn)放 電流鏡
        共模反饋電路
        如上圖所示,通過共模反饋電路環(huán)路去調(diào)節(jié)“上”,“下”電流中的一個,讓兩者相等,這樣可以更魯棒地實(shí)現(xiàn)上文的電流相等要求,讓運(yùn)放的所有晶體管工作的飽和區(qū)。 即使有共模反饋電路的“加持”,但上節(jié)提到的匹配設(shè)計還是很有必要,它可以減輕共模反饋電路的負(fù)擔(dān),也是一種更為模塊,規(guī)整的設(shè)計思路。
        總結(jié)
        通過本文,我們可以看出,其實(shí)運(yùn)放的晶體管就是電流鏡的拷貝晶體管,而偏置電路就是一個電流鏡的源頭。
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