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        柵極電壓,MOS管柵極開啟電壓圖文解析
        • 發(fā)布時(shí)間:2024-06-12 17:39:47
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        柵極電壓,MOS管柵極開啟電壓圖文解析
        柵極簡(jiǎn)介
        柵極是場(chǎng)效應(yīng)管或MOSFET等電子器件的關(guān)鍵部件之一,它可以通過改變柵極與源極之間的電壓來控制器件的導(dǎo)電性能。
        柵極在電子器件中的特點(diǎn):
        可以通過改變其電壓來控制器件的電流和電導(dǎo)性能。
        柵極采用金屬片或線網(wǎng)格,表面積較小,使得其靈敏度較高。
        與晶體管內(nèi)部的其他元件相比,柵極電容較小,對(duì)信號(hào)的響應(yīng)速度較快。
        柵極結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,易于制造和集成在芯片中。
        場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)柵極
        場(chǎng)效應(yīng)管根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件,有3個(gè)極性,柵極,漏極,源極,它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高,采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐,屬于電壓控制型器件。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。
        MOS管 柵極開啟電
        所有的FET都有柵極、漏極(drain)、源極(source)三個(gè)端,分別大致對(duì)應(yīng)雙極性晶體管的基極(base)、集電極(collector)和發(fā)射極(emitter)。除了結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管外,所有的FET也有第四端,被稱為體(body)、基(base)、塊體(bulk)或襯底(substrate)。這個(gè)第四端可以將晶體管調(diào)制至運(yùn)行;在電路設(shè)計(jì)中,很少讓體端發(fā)揮大的作用,但是當(dāng)物理設(shè)計(jì)一個(gè)集成電路的時(shí)候,它的存在就是重要的。
        在圖1中柵極的長(zhǎng)度(length)L,是指源極和漏極的距離。寬度(width)是指晶體管的范圍,在圖1中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長(zhǎng)度大得多。長(zhǎng)度1微米的柵極限制最高頻率約為5GHz,0.2微米則是約30GHz。
        這些端的名稱和它們的功能有關(guān)。柵極可以被認(rèn)為是控制一個(gè)物理柵的開關(guān)。這個(gè)柵極可以通過制造或者消除源極和漏極之間的溝道,從而允許或者阻礙電子流過。如果受一個(gè)外加的電壓影響,電子流將從源極流向漏極。體很簡(jiǎn)單的就是指柵極、漏極、源極所在的半導(dǎo)體的塊體。
        通常體端和一個(gè)電路中最高或最低的電壓相連,根據(jù)類型不同而不同。體端和源極有時(shí)連在一起,因?yàn)橛袝r(shí)源也連在電路中最高或最低的電壓上。當(dāng)然有時(shí)一些電路中FET并沒有這樣的結(jié)構(gòu),比如級(jí)聯(lián)傳輸電路和串疊式電路。
        MOS管柵極開啟電壓分析
        控制機(jī)理上MOS-FET的柵極與管子的其余部分絕緣,靠柵源極電壓來控制載流子運(yùn)動(dòng)。N-MOSFET是一塊摻雜濃度較低的P型硅片作為襯底,并在源極S和漏極D兩個(gè)區(qū)域制作兩個(gè)摻雜濃度較高的N型半導(dǎo)體區(qū)域,通過歐姆電極與源極和漏極相連。
        由圖可以看出,柵極G和S、D極之間是有一層二氧化硅,因此,柵極與管子的其余部分絕緣。所以,這種FET稱為絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管。在底層的金屬襯底上引出電極B,稱為背面柵極。
        MOS管 柵極開啟電
        那么,柵極和其他部分絕緣,是如何影響載流子的運(yùn)動(dòng)的呢?答案就是電場(chǎng),見下圖。
        MOS管 柵極開啟電
        當(dāng)Ugs=0時(shí),MOS-FET就是兩個(gè)共陽極的二極管,B極是公共陽極,S、D極是兩個(gè)陰極。這時(shí),不管S、D之間加何種極性電壓(當(dāng)然不能超過最大耐壓),都不會(huì)有電流產(chǎn)生,此時(shí)可認(rèn)為MOS-FET是截止的。
        當(dāng)背柵極B與源極短接,并給G、S極間加上正電壓,如上圖所示,那么就會(huì)形成一個(gè)與P-襯底相垂直的電場(chǎng)。當(dāng)Ugs超過某個(gè)臨界值,垂直電場(chǎng)到達(dá)一定強(qiáng)度,較多的電子被吸引到P型硅表面,在兩個(gè)N型半導(dǎo)體區(qū)域之間形成導(dǎo)電的N溝道,這樣S、D極的N溝道形成一體,與下面的P型硅形成PN結(jié)。
        此時(shí),在D、S間施加正向電壓,PN結(jié)反向截止,所以,D、S、N溝道區(qū)下面存在一層耗盡區(qū),與背柵極襯底隔離開。那么,此時(shí)D、S極間,就會(huì)有不經(jīng)過襯底的電流,通過N溝道由漏區(qū)到達(dá)源區(qū),形成漏電流Id。那么,我們就把剛開始出現(xiàn)N溝道的Ugs稱為開啟電壓。
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