晶體管的增速電容器

在采用電壓驅(qū)動的 BJT（雙極型晶體管）應用中，調(diào)整基極外接電阻和基極反向電壓是影響抽取電流的關(guān)鍵因素。減小基極外接電阻以及增大基極反向電壓能夠在一定程度上增大抽取電流，這對縮短存儲時間和下降時間是有益的。然而，若基極外接電阻過小，會使輸入電流脈沖幅度增大，反而加深器件的飽和程度，導致存儲時間延長；而基極反向電壓過大，則會使發(fā)射結(jié)反偏嚴重，增加延遲時間。因此，在實際應用中，需要對基極外接電阻和基極反向電壓進行全面的折中考量。

為了在減短延遲時間和上升時間的同時，避免存儲時間延長以及其他副作用的產(chǎn)生，理想的基極輸入電流波形應為階梯波形式。這種波形能夠有效克服上述矛盾，提高晶體管的開關(guān)速度。

在實際電路設(shè)計中，為了實現(xiàn)理想的基極電流波形，可以采用基極輸入回路（微分電路），其中與基極電阻 RB 并聯(lián)的電容器 CB 即為增速電容器。當輸入電流波形為方波時，增速電容器 CB 的加入能夠使實際基極輸入電流波形接近理想的階梯波波形，從而有效減短開關(guān)時間，提升晶體管的開關(guān)速度。

肖特基箝位技術(shù)

肖特基箝位是另一種提高晶體管開關(guān)速度的有效方法。肖特基二極管以其快速的開關(guān)速度和較小的正向壓降（相較于 PN 結(jié)）而著稱，因此被廣泛應用于晶體管的開關(guān)速度提升中。

在基極 - 集電極之間接入肖特基二極管作為箝位元件，由于肖特基二極管的正向壓降小于晶體管的 Vbe，大部分基極電流會通過肖特基二極管 D1 被旁路，使得流過晶體管的基極電流非常小，此時晶體管的導通狀態(tài)接近截止狀態(tài)。

從 B 點和 A 點的波形變化可以看出，晶體管由導通到截止的滯后時間幾乎為零。而在截止到導通的上升沿不夠陡峭，這是由于密勒效應導致晶體管輸入電容增加所致。

肖特基箝位技術(shù)的實質(zhì)是改變晶體管的工作點，減小電荷存儲效應對晶體管開關(guān)速度的影響。與接入加速電容的方法不同，肖特基箝位電路不會降低電路的輸入阻抗。因此，在驅(qū)動開關(guān)電路的前級電路驅(qū)動能力較低，且要求關(guān)斷速度快而對開啟速度要求不高的場合，肖特基箝位技術(shù)具有獨特的優(yōu)勢。

通過增速電容器和肖特基箝位等技術(shù)手段，可以有效提升晶體管的開關(guān)速度，滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高速開關(guān)性能的需求。在實際的電路設(shè)計中，應根據(jù)具體的電路要求和性能指標，合理選擇和應用這些技術(shù)，以實現(xiàn)晶體管的最佳工作狀態(tài)。
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